Disco duro SSD Interno M.2 2 TB Transcend, 3D Sí

SSD de Transcend, capacidad de 2 TB, factor de forma M.2 - TS2TMTS960TI-VS1

Esta SSD proporciona almacenamiento de estado sólido de alta capacidad en una forma M.2 diseñada para uso interno en entornos industriales. Proporciona un almacenamiento de datos fiable para sistemas de control y dispositivos integrados que requieren un funcionamiento sostenido en condiciones ambientales extremas y cumple los estándares UKCA para implementaciones reguladas.

Características y ventajas:

• La capacidad de 2 TB permite una amplia retención de datos locales para el registro
  La interfaz SATA III 6 Gb/s admite transferencias secuenciales rápidas
  La NAND 3D aumenta la durabilidad para ciclos de escritura frecuentes
  La estructura de grado industrial soporta ciclos de trabajo prolongados
  El rango de funcionamiento de -40 a 85 °C permite el despliegue en lugares calientes o fríos
  La anchura de 22 mm encaja en ranuras M.2 2280 estándar para instalaciones compactas

Aplicaciones

• Apto para registro de datos e historiales de automatización industrial
  Ideal para controladores integrados en paneles de distribución eléctrica
  Se utiliza con sistemas Vision que requieren almacenamiento continuo de bastidores
  Puede utilizarse para el almacenamiento de firmware y configuraciones en maquinaria
  Se utiliza para el búfer en dispositivos en plataformas de prueba mecánicas

¿Qué factor de forma de montaje es necesario para la instalación?

Encaja en conectores hembra M.2 2280 que aceptan módulos de 22 mm de ancho y una longitud de 80 mm.

¿Cómo se comporta el dispositivo a altas temperaturas ambiente?

Continúa el funcionamiento normal hasta 85 °C sin reducir los parámetros de rendimiento especificados.

¿Está diseñado este producto para uso interno o externo?

Está diseñado exclusivamente para instalación interna en equipos host.

¿Qué tipo de memoria flash se implementa y por qué importa?

Utiliza NAND 3D, que proporciona una mayor densidad de celdas y una mayor resistencia a la escritura en comparación con NAND planar, lo que beneficia a aplicaciones con escrituras frecuentes.