Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
80 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
10 x 4.5 x 15mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
País de Origen
Japan
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
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$ 1.546
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 1.839,74
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 20 | $ 1.546 | $ 7.730 |
25+ | $ 1.312 | $ 6.560 |
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Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
80 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
10 x 4.5 x 15mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
País de Origen
Japan
Datos del producto