Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
120
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
80 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
10 x 4.5 x 15mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Japan
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
$ 9.295
$ 1.859 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 11.061
$ 2.212,21 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
5
$ 9.295
$ 1.859 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 11.061
$ 2.212,21 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 1.859 | $ 9.295 |
| 25+ | $ 1.578 | $ 7.890 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
120
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
80 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
10 x 4.5 x 15mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Japan
Datos del producto


