MOSFET Toshiba TPHR6503PL, VDSS 30 V, ID 393 A, SOP de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 171-2204Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TPHR6503PL
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

393 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

890 μΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

170 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

5mm

Ancho

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

110 nC a 10 V

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

0.95mm

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P.O.A.

MOSFET Toshiba TPHR6503PL, VDSS 30 V, ID 393 A, SOP de 8 pines, config. Simple

5000

Disponible en múltiplos de 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

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N

Maximum Continuous Drain Current

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Tipo de Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

890 μΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

170 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

5mm

Ancho

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