Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
45 V
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
170 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
122 nC a 10 V
Altura
0.95mm
Tensión de diodo directa
1.2V
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P.O.A.
5000
P.O.A.
5000
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Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
45 V
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
170 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
122 nC a 10 V
Altura
0.95mm
Tensión de diodo directa
1.2V