Toshiba TPD2005F(EL,F) 8 Lado Alto Interruptor de potencia de lado alto CI de interruptor de potencia 24 pines SSOP
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTopología de interruptor de alimentación
High Side
Tipo de interruptor
High Side Power Switch
Tipo de Producto
CI de interruptor de potencia
Resistencia de encendido RdsOn
1.2Ω
Número de Salidas
8
Potencia máxima
1.2W
Número de Entradas
8
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
SSOP
Tensión Máxima de Alimentación
40V
Número de pines
24
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
85°C
Anchura
6 mm
Altura
1.4mm
Largo
13.5mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Dispositivos de potencia inteligente (IPD), Toshiba
El TPD1030F es un interruptor de lado bajo 2 en 1
El TPD2005F es una matriz de interruptores de lado alto de 8 canales
El TPD2007F es una matriz de interruptores de lado bajo de 8 canales
Aplicaciones de conmutación para motores, solenoides, y drivers de lámparas
Power and Load Switches, Toshiba
Integrated High-side and Low-side Intelligent Power Switching circuits incorporating many functional and protective features such as over-current, over-voltage, short-circuit, open-circuit load, over-temperature and supply reversal. These highly integrated devices utilise low on-resistance MOSFET transistors to minimise power losses and maintain high efficiency.
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Empaque de Producción (Rollo)
1
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Superficie
Encapsulado
SSOP
Tensión Máxima de Alimentación
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Número de pines
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-40°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
85°C
Anchura
6 mm
Altura
1.4mm
Largo
13.5mm
Certificaciones y estándares
RoHS
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No
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Dispositivos de potencia inteligente (IPD), Toshiba
El TPD1030F es un interruptor de lado bajo 2 en 1
El TPD2005F es una matriz de interruptores de lado alto de 8 canales
El TPD2007F es una matriz de interruptores de lado bajo de 8 canales
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Power and Load Switches, Toshiba
Integrated High-side and Low-side Intelligent Power Switching circuits incorporating many functional and protective features such as over-current, over-voltage, short-circuit, open-circuit load, over-temperature and supply reversal. These highly integrated devices utilise low on-resistance MOSFET transistors to minimise power losses and maintain high efficiency.
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