MOSFET Toshiba TK62N60W,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 168-7989Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK62N60W,S1VF(S
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

62 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Series

TK

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Disipación de Potencia Máxima

400000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

15.94mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Anchura

5.02mm

Altura

20.95mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, series TK6 y TK7, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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$ 412.440

$ 13.748 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 490.804

$ 16.360,12 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)

MOSFET Toshiba TK62N60W,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 412.440
60$ 824.880
90$ 1.237.320
120$ 1.649.760
150$ 1.855.950
180$ 2.227.140
210$ 2.598.330
240$ 2.969.520
270$ 3.340.710
300$ 3.489.300
330$ 3.838.230
360$ 4.187.160
390$ 4.536.090
420$ 4.885.020
450$ 5.233.950

$ 412.440

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30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 412.440
60$ 824.880
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120$ 1.649.760
150$ 1.855.950
180$ 2.227.140
210$ 2.598.330
240$ 2.969.520
270$ 3.340.710
300$ 3.489.300
330$ 3.838.230
360$ 4.187.160
390$ 4.536.090
420$ 4.885.020
450$ 5.233.950

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Tubo
30 - 120$ 13.748$ 412.440
150 - 270$ 12.373$ 371.190
300+$ 11.631$ 348.930

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Tipo de Canal

N

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600 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Series

TK

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Disipación de Potencia Máxima

400000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

15.94mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Anchura

5.02mm

Altura

20.95mm

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