MOSFET Toshiba TK62N60W5,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 61,8 A, TO-247 de 3 pines

Código de producto RS: 125-0585Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK62N60W5,S1VF(S
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

61,8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

DTMOSIV

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

45 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

400000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

5.02mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

15.94mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

205 nC a 10 V

Altura

20.95mm

Tensión de diodo directa

1.7V

Datos del producto

MOSFET de canal N, series TK6 y TK7, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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P.O.A.

MOSFET Toshiba TK62N60W5,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 61,8 A, TO-247 de 3 pines

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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N

Maximum Continuous Drain Current

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Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

45 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

400000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

5.02mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

15.94mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

205 nC a 10 V

Altura

20.95mm

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