MOSFET Toshiba TK30E06N1,S1X(S, VDSS 60 V, ID 43 A, TO-220 de 3 pines

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

43,3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

53000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

4.45mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud:

10.16mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 10 V

Altura

15.1mm

Series

U-MOSVIII-H

Tensión de diodo directa

1.2V