Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
43,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
53000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Profundidad
4.45mm
Material del transistor
Si
Altura
15.1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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$ 1.064
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 1.266,16
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
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5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 45 | $ 1.064 | $ 5.320 |
50 - 120 | $ 967 | $ 4.835 |
125 - 245 | $ 918 | $ 4.590 |
250 - 495 | $ 836 | $ 4.180 |
500+ | $ 766 | $ 3.830 |
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Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
43,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
53000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Profundidad
4.45mm
Material del transistor
Si
Altura
15.1mm
Datos del producto