MOSFET Toshiba TJ8S06M3L, VDSS 60 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
130 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
27000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
7mm
Largo
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.3mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
Japan
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
$ 1.490.000
$ 745 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
$ 1.773.100
$ 886,55 Each (On a Reel of 2000) (IVA Inc.)
2000
$ 1.490.000
$ 745 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
$ 1.773.100
$ 886,55 Each (On a Reel of 2000) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
2000
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
130 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
27000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
7mm
Largo
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.3mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
Japan
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos