Memoria FRAM Toshiba TC58BVG1S3HBAI4, 63 pines, TFBGA, 2Gbit, 2.048 x 8 bits, 40μs, 2,7 V a 3,6 V

Código de producto RS: 796-5339PMarca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TC58BVG1S3HBAI4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tamaño de la Memoria

2Gbit

Organización

2048 x 8 bits

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

40µs

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

TFBGA

Conteo de Pines

63

Dimensiones

11 x 9mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Número de Palabras

2048

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Número de Bits de Palabra

8

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Datos del producto

Memoria Flash SLC NAND BENAND™ con ECC, Toshiba

BENAND™ es una memoria NAND Flash SLC (Single Level Cell) con ECC (Error Correction Code) integrado.

BENAND™ SLC NAND Flash Memory

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Brand

Toshiba

Tamaño de la Memoria

2Gbit

Organización

2048 x 8 bits

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

40µs

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

TFBGA

Conteo de Pines

63

Dimensiones

11 x 9mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Número de Palabras

2048

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Número de Bits de Palabra

8

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Datos del producto

Memoria Flash SLC NAND BENAND™ con ECC, Toshiba

BENAND™ es una memoria NAND Flash SLC (Single Level Cell) con ECC (Error Correction Code) integrado.

BENAND™ SLC NAND Flash Memory