MOSFET Toshiba T2N7002BK, VDSS 60 V, ID 400 mA, SOT-23 de 3 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,75 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.3mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,39 nC a 4,5 V
Altura
0.9mm
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
Thailand
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$ 51
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 60,69
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | $ 51 | $ 153.000 |
| 6000 - 6000 | $ 50 | $ 150.000 |
| 9000+ | $ 47 | $ 141.000 |
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Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,75 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.3mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,39 nC a 4,5 V
Altura
0.9mm
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