MOSFET Toshiba T2N7002BK, VDSS 60 V, ID 400 mA, SOT-23 de 3 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,75 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.3mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,39 nC a 4,5 V
Altura
0.9mm
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
Thailand
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 51
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 60,69
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 51
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 60,69
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
Comprar en grandes cantidades
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | $ 51 | $ 153.000 |
| 6000 - 6000 | $ 50 | $ 150.000 |
| 9000+ | $ 47 | $ 141.000 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,75 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.3mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,39 nC a 4,5 V
Altura
0.9mm
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
Thailand
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products