Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
US6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,2e+006 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Silicon
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
200
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
200
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Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
US6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,2e+006 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Silicon