Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
100 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
0.8mm
Longitud
1.6mm
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.7mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie SSM3K, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
$ 10.700
$ 107 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
$ 12.733
$ 127,33 Each (In a Pack of 100) (IVA Inc.)
100
$ 10.700
$ 107 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
$ 12.733
$ 127,33 Each (In a Pack of 100) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 100 - 200 | $ 107 | $ 10.700 |
| 300+ | $ 93 | $ 9.300 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
100 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
0.8mm
Longitud
1.6mm
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.7mm
País de Origen
Japan
Datos del producto


