Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
0,15 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
2mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
1.25mm
Altura
0.9mm
País de Origen
Thailand
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
0,15 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
2mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
1.25mm
Altura
0.9mm
País de Origen
Thailand