MOSFET Toshiba SSM3J334R,LF(T, VDSS 30 V, ID 4 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 144-5260Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: SSM3J334R,LF(T
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

136 mΩ

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+20 V

Número de Elementos por Chip

1

Anchura

1.8mm

Longitud

2.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5,9 NC a -10 V NC

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

0.8mm

País de Origen

Japan

Datos del producto

MOSFET de canal P, serie SSM3J, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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$ 6.510

$ 217 Each (In a Pack of 30) (Sin IVA)

$ 7.747

$ 258,23 Each (In a Pack of 30) (IVA Inc.)

MOSFET Toshiba SSM3J334R,LF(T, VDSS 30 V, ID 4 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 6.510
60$ 13.020
90$ 19.530
120$ 26.040
150$ 30.900
180$ 37.080
210$ 43.260
240$ 49.440
270$ 55.620
300$ 61.800
330$ 67.980
360$ 74.160
390$ 80.340
420$ 86.520
450$ 92.700

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210$ 43.260
240$ 49.440
270$ 55.620
300$ 61.800
330$ 67.980
360$ 74.160
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
30 - 120$ 217$ 6.510
150+$ 206$ 6.180

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Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de Montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

136 mΩ

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

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Single

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+20 V

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1

Anchura

1.8mm

Longitud

2.9mm

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Material del transistor

Si

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