Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
0,15 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
0.8mm
Altura
0.5mm
País de Origen
Japan
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P.O.A.
8000
P.O.A.
8000
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Brand
ToshibaTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
0,15 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
0.8mm
Altura
0.5mm
País de Origen
Japan