Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de producto
MOSFET
Corriente de Salida
6A
Número de pines
5
Tiempo de caída
35ns
Encapsulado
TO-220
Tipo de unidad
MOSFET
Tiempo de Ascenso
35ns
Tensión de alimentación mínima
18V
Número de Drivers
1
Máxima Tensión de Alimentación
18V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
0°C
Temperatura Máxima de Operación
70°C
Longitud
10.16mm
Altura
8.51mm
Certificaciones y estándares
No
Serie
UC3710
Tipo de soporte
Orificio pasante
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MOSFET & IGBT Drivers, 6A to 10A, Texas Instruments
Una gama de CI de controlador de puerta específicos de Texas Instruments adecuada tanto para aplicaciones MOSFET como IGBT. Los dispositivos son capaces de proporcionar salidas de corriente alta compatible con los requisitos de control de dispositivos de potencia MOSFET e IGBT y están disponibles en configuraciones y tipos de encapsulado diversos.
MOSFET & IGBT Drivers, Texas Instruments
Volver a intentar más tarde
$ 14.364
$ 14.364 Each (Sin IVA)
$ 17.093
$ 17.093 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 14.364
$ 14.364 Each (Sin IVA)
$ 17.093
$ 17.093 Each (IVA Inc.)
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Estándar
1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 14.364 |
| 5 - 9 | $ 13.640 |
| 10 - 24 | $ 12.285 |
| 25 - 49 | $ 11.057 |
| 50+ | $ 10.505 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de producto
MOSFET
Corriente de Salida
6A
Número de pines
5
Tiempo de caída
35ns
Encapsulado
TO-220
Tipo de unidad
MOSFET
Tiempo de Ascenso
35ns
Tensión de alimentación mínima
18V
Número de Drivers
1
Máxima Tensión de Alimentación
18V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
0°C
Temperatura Máxima de Operación
70°C
Longitud
10.16mm
Altura
8.51mm
Certificaciones y estándares
No
Serie
UC3710
Tipo de soporte
Orificio pasante
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MOSFET & IGBT Drivers, 6A to 10A, Texas Instruments
Una gama de CI de controlador de puerta específicos de Texas Instruments adecuada tanto para aplicaciones MOSFET como IGBT. Los dispositivos son capaces de proporcionar salidas de corriente alta compatible con los requisitos de control de dispositivos de potencia MOSFET e IGBT y están disponibles en configuraciones y tipos de encapsulado diversos.


