Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Producto
MOSFET
Output Current
2A
Número de pines
8
Tipo de Encapsulado
PDIP
Tiempo de caída
15ns
Tipo de unidad
MOSFET
Número de Salidas
2
Tiempo de Ascenso
15ns
Tensión de alimentación mínima
14V
Tensión de Alimentación Máxima
14V
Número de Drivers
2
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
6.35 mm
Series
TPS28xx
Altura
4.57mm
Largo
9.81mm
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Controladores MOSFET e IGBT, hasta 2,5 A, Texas Instruments
Una gama de CI de controlador de puerta específicos de Texas Instruments adecuada tanto para aplicaciones MOSFET como IGBT. Los dispositivos son capaces de proporcionar salidas de corriente alta compatible con los requisitos de control de dispositivos de potencia MOSFET e IGBT y están disponibles en configuraciones y tipos de encapsulado diversos.
MOSFET & IGBT Drivers, Texas Instruments
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Tubo)
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Producto
MOSFET
Output Current
2A
Número de pines
8
Tipo de Encapsulado
PDIP
Tiempo de caída
15ns
Tipo de unidad
MOSFET
Número de Salidas
2
Tiempo de Ascenso
15ns
Tensión de alimentación mínima
14V
Tensión de Alimentación Máxima
14V
Número de Drivers
2
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
6.35 mm
Series
TPS28xx
Altura
4.57mm
Largo
9.81mm
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Controladores MOSFET e IGBT, hasta 2,5 A, Texas Instruments
Una gama de CI de controlador de puerta específicos de Texas Instruments adecuada tanto para aplicaciones MOSFET como IGBT. Los dispositivos son capaces de proporcionar salidas de corriente alta compatible con los requisitos de control de dispositivos de potencia MOSFET e IGBT y están disponibles en configuraciones y tipos de encapsulado diversos.


