Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
2.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
791 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +2 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,25 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Longitud:
4.9mm
Ancho
3.91mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Altura
1.58mm
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Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
2.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
791 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +2 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,25 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Longitud:
4.9mm
Ancho
3.91mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Altura
1.58mm