Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
0.05 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
15 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
750 mW
Transistor Configuration
Complejo
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
120 MHz
Conteo de Pines
14
Número de Elementos por Chip
5
Dimensiones del Cuerpo
1.45 x 8.64 x 3.91mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Datos del producto
Conjunto de transistores LM3046M
Cinco transistores de uso general que pueden utilizarse como transistores discretos en circuitos convencionales; sin embargo, proporcionan las ventajas inherentes a los circuitos integrados: características eléctricas y térmicas adecuadas para uso en amplificadores con compensación de temperatura.
5 transistores de NPN en un sustrato común, dos de ellos conectados internamente como par diferencial.
Dos de los pares tienen la misma tensión base-emisor (Vbe): ±5 mV (±0,5 mV típicamente)
Son adecuados para el procesamiento de señales, sistemas de conmutación, etc. de dc a 120 MHz
Bipolar Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
0.05 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
15 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
750 mW
Transistor Configuration
Complejo
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
120 MHz
Conteo de Pines
14
Número de Elementos por Chip
5
Dimensiones del Cuerpo
1.45 x 8.64 x 3.91mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Datos del producto
Conjunto de transistores LM3046M
Cinco transistores de uso general que pueden utilizarse como transistores discretos en circuitos convencionales; sin embargo, proporcionan las ventajas inherentes a los circuitos integrados: características eléctricas y térmicas adecuadas para uso en amplificadores con compensación de temperatura.
5 transistores de NPN en un sustrato común, dos de ellos conectados internamente como par diferencial.
Dos de los pares tienen la misma tensión base-emisor (Vbe): ±5 mV (±0,5 mV típicamente)
Son adecuados para el procesamiento de señales, sistemas de conmutación, etc. de dc a 120 MHz