MOSFET Texas Instruments CSD87355Q5DT, VDSS 30 V, ID 120 A, LSON-CLIP de 8 pines, 2elementos, config. Base doble

Código de producto RS: 133-0159Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD87355Q5DT
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

LSON-CLIP

Serie

NexFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.75V

Disipación de Potencia Máxima

12 W

Transistor Configuration

Dual Base

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

125 °C

Longitud:

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC, 40 nC

Profundidad

5.1mm

Número de Elementos por Chip

2

Altura

1.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1V

Datos del producto

Power MOSFET Modules, Texas Instruments

Bloque de potencia NexFET de medio puente

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

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Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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Mejora

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1.2V

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