Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
PICOSTAR
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Ancho
2.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
1.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,4 nC a 4,5 V
Altura
0.2mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET doble de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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$ 928
Each (On a Reel of 250) (Sin IVA)
$ 1.104,32
Each (On a Reel of 250) (IVA Incluido)
250
$ 928
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$ 1.104,32
Each (On a Reel of 250) (IVA Incluido)
250
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
---|---|---|
250 - 250 | $ 928 | $ 232.000 |
500 - 1000 | $ 742 | $ 185.500 |
1250+ | $ 695 | $ 173.750 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
PICOSTAR
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Ancho
2.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
1.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,4 nC a 4,5 V
Altura
0.2mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto