MOSFET Texas Instruments CSD25481F4, VDSS 20 V, ID 2,5 A, PICOSTAR de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PICOSTAR
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
800 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,913 nC a 4,5 V
Ancho
0.6mm
Material del transistor
Si
Serie
FemtoFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.35mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
10
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P
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PICOSTAR
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
800 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,913 nC a 4,5 V
Ancho
0.6mm
Material del transistor
Si
Serie
FemtoFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
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