MOSFET Texas Instruments CSD25404Q3T, VDSS 20 V, ID 104 A, VSON-CLIP de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
104 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.15V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
96 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
3.4mm
Largo
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,8 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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$ 172.000
$ 688 Each (On a Reel of 250) (Sin IVA)
$ 204.680
$ 818,72 Each (On a Reel of 250) (IVA Inc.)
250
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8
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.15V
Tensión de umbral de puerta mínima
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1
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3.4mm
Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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