Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
WSON
Número de pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.39e+006 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.55V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Volver a intentar más tarde
$ 3.700
$ 148 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 4.403
$ 176,12 Each (In a Pack of 25) (IVA Inc.)
Estándar
25
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P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
WSON
Número de pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.39e+006 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.55V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si


