MOSFET Texas Instruments CSD25310Q2, VDSS 20 V, ID 20 A, WSON de 6 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
WSON
Número de pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2390000 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.55V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
$ 444.000
$ 148 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 528.360
$ 176,12 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
$ 444.000
$ 148 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 528.360
$ 176,12 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
3000
Volver a intentar más tarde
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
WSON
Número de pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2390000 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.55V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos