MOSFET Texas Instruments CSD19537Q3T, VDSS 100 V, ID 53 A, VSON-CLIP de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
53 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16,6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
83000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
53 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16,6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
83000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto