Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
272 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
9.65mm
Largo
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
118 nC a 0 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
4.83mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Volver a intentar más tarde
$ 313.450
$ 6.269 Each (On a Reel of 50) (Sin IVA)
$ 373.006
$ 7.460,11 Each (On a Reel of 50) (IVA Inc.)
50
$ 313.450
$ 6.269 Each (On a Reel of 50) (Sin IVA)
$ 373.006
$ 7.460,11 Each (On a Reel of 50) (IVA Inc.)
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 6.269 | $ 313.450 |
| 100 - 200 | $ 6.018 | $ 300.900 |
| 250+ | $ 5.829 | $ 291.450 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
272 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
9.65mm
Largo
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
118 nC a 0 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
4.83mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto


