Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
272 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
9.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
118 nC a 0 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Volver a intentar más tarde
$ 7.922
$ 7.922 Each (Sin IVA)
$ 9.427
$ 9.427 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 7.922
$ 7.922 Each (Sin IVA)
$ 9.427
$ 9.427 Each (IVA Inc.)
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Estándar
1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 7.922 |
| 5 - 9 | $ 7.765 |
| 10 - 14 | $ 7.513 |
| 15 - 24 | $ 7.466 |
| 25+ | $ 7.214 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
272 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
9.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
118 nC a 0 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto


