MOSFET Texas Instruments CSD19536KCS, VDSS 100 V, ID 259 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
259 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
118 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
16.51mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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$ 205.550
$ 4.111 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 244.604
$ 4.892,09 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 4.111 | $ 205.550 |
| 100 - 200 | $ 3.289 | $ 164.450 |
| 250+ | $ 3.111 | $ 155.550 |
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N
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de Montaje
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.2V
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Anchura
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Si
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1
Largo
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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