MOSFET Texas Instruments CSD19536KCS, VDSS 100 V, ID 259 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
259 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Largo
10.67mm
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
118 nC a 10 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
16.51mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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N
Maximum Continuous Drain Current
259 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Largo
10.67mm
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
118 nC a 10 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
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