Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
118 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud:
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,1 nC a 0 V
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
16.51mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
5
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
5
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Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
118 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud:
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,1 nC a 0 V
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
16.51mm
Datos del producto