MOSFET Texas Instruments CSD19534KCS, VDSS 100 V, ID 100 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Serie
NexFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
118 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,1 nC a 0 V
Profundidad
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
16.51mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
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| 100 - 200 | $ 1.484 | $ 74.200 |
| 250 - 450 | $ 1.403 | $ 70.150 |
| 500 - 700 | $ 1.319 | $ 65.950 |
| 750+ | $ 1.237 | $ 61.850 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Serie
NexFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
118 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,1 nC a 0 V
Profundidad
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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