MOSFET Texas Instruments CSD19531KCS, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
214 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Serie
NexFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
16.51mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
214 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Serie
NexFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
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