MOSFET Texas Instruments CSD19506KCS, VDSS 80 V, ID 273 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 827-4903Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD19506KCS
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

273 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Serie

NexFET

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+175 °C

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

120 nC a 10 V

Ancho

4.7mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

16.51mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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N

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Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+175 °C

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Ancho

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Si

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