MOSFET Texas Instruments CSD19502Q5BT, VDSS 80 V, ID 157 A, VSON-CLIP de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
157 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
195000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
130 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.05mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Volver a intentar más tarde
$ 5.104
$ 2.552 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 6.074
$ 3.036,88 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
$ 5.104
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$ 3.036,88 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
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2
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 2.552 | $ 5.104 |
| 10 - 18 | $ 2.426 | $ 4.852 |
| 20 - 48 | $ 2.174 | $ 4.348 |
| 50 - 98 | $ 1.969 | $ 3.938 |
| 100+ | $ 1.882 | $ 3.764 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
157 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
195000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
130 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.05mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto

