Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
VSONP
Series
NexFET
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.7V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.8mm
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Rollo)
5
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Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
VSONP
Series
NexFET
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.7V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.8mm
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


