Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.7V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.1mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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$ 1.733
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 2.062,27
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
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$ 2.062,27
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 20 | $ 1.733 | $ 8.665 |
25 - 95 | $ 1.525 | $ 7.625 |
100 - 245 | $ 1.330 | $ 6.650 |
250 - 495 | $ 1.245 | $ 6.225 |
500+ | $ 1.175 | $ 5.875 |
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Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.7V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.1mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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