Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
VSONP
Series
NexFET
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.7V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.8mm
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Volver a intentar más tarde
$ 7.720
$ 1.544 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 9.187
$ 1.837,36 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 7.720
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5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 1.544 | $ 7.720 |
| 25 - 95 | $ 1.361 | $ 6.805 |
| 100 - 245 | $ 1.184 | $ 5.920 |
| 250 - 495 | $ 1.109 | $ 5.545 |
| 500+ | $ 1.049 | $ 5.245 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
VSONP
Series
NexFET
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.7V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.8mm
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


