MOSFET Texas Instruments CSD18537NKCS, VDSS 60 V, ID 54 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 827-4906PMarca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD18537NKCS
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

54 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

18 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.6V

Disipación de Potencia Máxima

79000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 10 V

Anchura

4.7mm

Material del transistor

Si

Series

NexFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

16.51mm

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

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N

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Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

18 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.6V

Disipación de Potencia Máxima

79000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Anchura

4.7mm

Material del transistor

Si

Series

NexFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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