Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
5.8mm
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Volver a intentar más tarde
$ 2.770
$ 554 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 3.296
$ 659,26 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 2.770
$ 554 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 3.296
$ 659,26 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
Estándar
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
5.8mm
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


