Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
118 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
192 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 4,5 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
16.51mm
Serie
NexFET
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
118 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
192 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 4,5 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
16.51mm
Serie
NexFET
Datos del producto