MOSFET Texas Instruments CSD18532KCS, VDSS 60 V, ID 169 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
169 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21 nC a 4,5 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Serie
NexFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
16.51mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
169 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21 nC a 4,5 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Serie
NexFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
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