Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
134 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Volver a intentar más tarde
$ 9.215
$ 1.843 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 10.966
$ 2.193,17 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 9.215
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5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 1.843 | $ 9.215 |
| 25 - 45 | $ 1.755 | $ 8.775 |
| 50 - 120 | $ 1.575 | $ 7.875 |
| 125 - 245 | $ 1.414 | $ 7.070 |
| 250+ | $ 1.345 | $ 6.725 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
134 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


