Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
204 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
5.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.05mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
$ 15.670
$ 3.134 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 18.647
$ 3.729,46 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 15.670
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$ 3.729,46 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 3.134 | $ 15.670 |
| 25 - 45 | $ 2.974 | $ 14.870 |
| 50 - 120 | $ 2.681 | $ 13.405 |
| 125 - 245 | $ 2.413 | $ 12.065 |
| 250+ | $ 2.290 | $ 11.450 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
204 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
5.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.05mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


