Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
204 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Serie
NexFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Altura
1.05mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
204 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Serie
NexFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Altura
1.05mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto