Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
204 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Serie
NexFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.1mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Altura
1.05mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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$ 2.720
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 3.236,80
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
$ 2.720
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Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 20 | $ 2.720 | $ 13.600 |
25 - 45 | $ 2.583 | $ 12.915 |
50 - 120 | $ 2.326 | $ 11.630 |
125 - 245 | $ 2.095 | $ 10.475 |
250+ | $ 1.990 | $ 9.950 |
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Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
204 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Serie
NexFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.1mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Altura
1.05mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto