Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
VSCONP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
3.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,3 nC a 4,5 V
Altura
0.9mm
Serie
NexFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
250
P.O.A.
250
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Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
VSCONP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
3.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,3 nC a 4,5 V
Altura
0.9mm
Serie
NexFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
País de Origen
Philippines
Datos del producto